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IRF6662中文资料

IRF6662图片

IRF6662外观图

  • 大小:271.07KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:DirectFet Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
  • 典型关断延迟时间:24 ns
  • 典型接通延迟时间:11 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:22 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:1360 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:5.05mm
  • 封装类型:DirectFET MZ
  • 尺寸:5.45 x 5.05 x 0.6mm
  • 引脚数目:7
  • 最低工作温度:-40 °C
  • 最大功率耗散:2800 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:100 V
  • 最大漏源电阻值:0.022
  • 最大连续漏极电流:8.3 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:双源、四漏极、单
  • 长度:5.45mm
  • 高度:0.6mm

IRF6662供应商

更新时间:2023-01-01 09:24:58
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • IRF6662TRPBF

    IRF6662TRPBF
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 6479

  • Infineon

  • DIRECTFET/1838+

  • 一定原装房间现货

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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